商品型号： VBZE50P03
制造厂商： VBsemi(台湾微碧)
封装规格： TO-252
商品毛重： 0.56g
商品编号： CY947355
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：50A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：16mΩ @ 20A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：127W 类型：P沟道 P沟道,-30V,-50A,13mΩ@10V
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 50A | |
| 类型 | P沟道 |
VBZE50P03由VBsemi(台湾微碧)设计生产,在芯云购商城现货销售,VBZE50P03价格参考￥3.250800。VBsemi(台湾微碧)VBZE50P03封装/规格：TO-252,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：50A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：16mΩ @ 20A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：127W 类型：P沟道 P沟道,-30V,-50A,13mΩ@10V
手机版：VBZE50P03
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