商品型号: NTNUS3171PZT5G
制造厂商: ON(安森美)
封装规格: SOT-1123
商品毛重: 0.01g
商品编号: CY904232
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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):150mA 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:3.5Ω @ 100mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):125mW 类型:P沟道 P沟道,20V,150mA
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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | MOS(场效应管) | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 150mA | |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 125mW | |
类型 | P沟道 |
NTNUS3171PZT5G由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,NTNUS3171PZT5G价格参考¥6.345400。ON(安森美)NTNUS3171PZT5G封装/规格:SOT-1123,连续漏极电流(Id)(25°C 时):150mA 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:3.5Ω @ 100mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):125mW 类型:P沟道 P沟道,20V,150mA
手机版:NTNUS3171PZT5G
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