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NTNUS3171PZT5G

商品型号: NTNUS3171PZT5G

制造厂商: ON(安森美)

封装规格: SOT-1123

商品毛重: 0.01g

商品编号: CY904232

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):150mA 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:3.5Ω @ 100mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):125mW 类型:P沟道 P沟道,20V,150mA

交货地:国内 货期(工作日):立即发货

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数   量: X ¥6.3454

总   价: ¥31.73

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 150mA
最大功率耗散(Ta=25°C) 125mW
类型 P沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):150mA 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:3.5Ω @ 100mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):125mW 类型:P沟道 P沟道,20V,150mA

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NTNUS3171PZT5G由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,NTNUS3171PZT5G价格参考¥6.345400。ON(安森美)NTNUS3171PZT5G封装/规格:SOT-1123,连续漏极电流(Id)(25°C 时):150mA 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:3.5Ω @ 100mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):125mW 类型:P沟道 P沟道,20V,150mA

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