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IPD088N06N3G

商品型号： IPD088N06N3 G

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： PG-TO252-3

商品毛重： 0.37g

商品编号： CY473379

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商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：50A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 34uA 漏源导通电阻：8.8mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：71W(Tc) 类型：N沟道 N沟道 60V 50A

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规格参数
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属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	60V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：50A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 34uA 漏源导通电阻：8.8mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：71W(Tc) 类型：N沟道 N沟道 60V 50A

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IPD088N06N3 G由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IPD088N06N3 G价格参考￥6.146200。Infineon(英飞凌)IPD088N06N3 G封装/规格：PG-TO252-3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：50A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 34uA 漏源导通电阻：8.8mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：71W(Tc) 类型：N沟道 N沟道 60V 50A

手机版：IPD088N06N3 G