商品型号： FDS6574A
制造厂商： ON(安森美)
封装规格： SOIC-8_150mil
商品毛重： 0.21g
商品编号： CY595125
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：16A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：6mΩ @ 16A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：N沟道 N沟道,20V,16A,6mΩ@4.5V
数量
价格
1+
￥2.51
10+
￥2.4264
30+
￥2.3428
100+
￥2.2571
500+
￥2.1714
1000+
￥2.0857
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 16A | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2.5W | |
| 类型 | N沟道 |
FDS6574A由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,FDS6574A价格参考￥2.510000。ON(安森美)FDS6574A封装/规格：SOIC-8_150mil,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：16A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：6mΩ @ 16A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：N沟道 N沟道,20V,16A,6mΩ@4.5V
手机版：FDS6574A
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