商品型号： PMV20ENR
制造厂商： Nexperia(安世)
封装规格： SOT23
商品毛重： 0.02g
商品编号： CY615553
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：21mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：510mW 类型：N沟道 MOSFET N-CH 30V
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 6A | |
| 类型 | N沟道 |
PMV20ENR由Nexperia(安世)设计生产,在芯云购商城现货销售,PMV20ENR价格参考￥2.064200。Nexperia(安世)PMV20ENR封装/规格：SOT23,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：21mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：510mW 类型：N沟道 MOSFET N-CH 30V
手机版：PMV20ENR
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