商品型号： LSG70R640GT
制造厂商： LONTEN(龙腾半导体)
封装规格： TO-252
商品毛重： 0.48g
商品编号： CY898662
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A 漏源电压（Vdss）：700V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：640mΩ @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：83W 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥2.21
10+
￥2.1764
30+
￥2.1428
100+
￥2.1092
500+
￥2.0728
1000+
￥2.0364
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￥38.00
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￥15.00
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￥120.00
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封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 700V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 7A | |
| 类型 | N沟道 |
LSG70R640GT由LONTEN(龙腾半导体)设计生产,在芯云购商城现货销售,LSG70R640GT价格参考￥2.210000。LONTEN(龙腾半导体)LSG70R640GT封装/规格：TO-252,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A 漏源电压（Vdss）：700V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：640mΩ @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：83W 类型：N沟道
手机版：LSG70R640GT
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