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DMP1100UCB4-7

商品型号: DMP1100UCB4-7

制造厂商: DIODES(美台)

封装规格: X2-WLB0808-4

商品毛重: 0.02g

商品编号: CY721298

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.5A 漏源电压(Vdss):-12V 栅源极阈值电压:800mV @ 250uA 漏源导通电阻:83mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):670mW 类型:P沟道

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) -12V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 2.5A
类型 P沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.5A 漏源电压(Vdss):-12V 栅源极阈值电压:800mV @ 250uA 漏源导通电阻:83mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):670mW 类型:P沟道

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DMP1100UCB4-7由DIODES(美台)设计生产,在芯云购商城现货销售,DMP1100UCB4-7价格参考¥8.252200。DIODES(美台)DMP1100UCB4-7封装/规格:X2-WLB0808-4,连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.5A 漏源电压(Vdss):-12V 栅源极阈值电压:800mV @ 250uA 漏源导通电阻:83mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):670mW 类型:P沟道

手机版:DMP1100UCB4-7