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IRLHM630TRPBF

商品型号： IRLHM630TRPBF

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： PQFN 3.3x3.3

商品毛重： 0.13g

商品编号： CY225576

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：21A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.1V @ 50uA 漏源导通电阻：3.5mΩ @ 20A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.7W 类型：N沟道 N沟道 30V 21A

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	30V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：21A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.1V @ 50uA 漏源导通电阻：3.5mΩ @ 20A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.7W 类型：N沟道 N沟道 30V 21A

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IRLHM630TRPBF由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IRLHM630TRPBF价格参考￥2.294100。Infineon(英飞凌)IRLHM630TRPBF封装/规格：PQFN 3.3x3.3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：21A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.1V @ 50uA 漏源导通电阻：3.5mΩ @ 20A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.7W 类型：N沟道 N沟道 30V 21A

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