商品型号： PDD0906
制造厂商： 3PEAK
封装规格： TO-252
商品毛重： 0.46g
商品编号： CY373222
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：15A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：90mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W(Tc) 类型：N沟道 N沟道 100V 15A 100mΩ@4.5V
数量
价格
1+
￥4.32
10+
￥4.267
30+
￥4.214
100+
￥4.161
500+
￥4.108
1000+
￥4.055
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
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￥15.00
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封装： TO-247
￥25.00
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封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | |
| 类型 | N沟道 |
PDD0906由3PEAK设计生产,在芯云购商城现货销售,PDD0906价格参考￥4.320000。3PEAKPDD0906封装/规格：TO-252,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：15A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：90mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W(Tc) 类型：N沟道 N沟道 100V 15A 100mΩ@4.5V
手机版：PDD0906
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