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CJBM3020

商品型号: CJBM3020

制造厂商: CJ(江苏长电 长晶)

封装规格: DFNWB3x3-8L-BE

商品毛重: 0.15g

商品编号: CY417602

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:14mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:N沟道

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 20A
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:14mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:N沟道

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CJBM3020由CJ(江苏长电 长晶)设计生产,在芯云购商城现货销售,CJBM3020价格参考¥1.287500。CJ(江苏长电 长晶)CJBM3020封装/规格:DFNWB3x3-8L-BE,连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:14mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:N沟道

手机版:CJBM3020