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P1025HDB

商品型号: P1025HDB

制造厂商: 3PEAK

封装规格: TO-252

商品毛重: 0.46g

商品编号: CY582122

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A 漏源电压(Vdss):250V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:460mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):52W 类型:N沟道

交货地:国内 货期(工作日):立即发货

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总   价: ¥8.33

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 250V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 10A
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A 漏源电压(Vdss):250V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:460mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):52W 类型:N沟道

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P1025HDB由3PEAK设计生产,在芯云购商城现货销售,P1025HDB价格参考¥8.325000。3PEAKP1025HDB封装/规格:TO-252,连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A 漏源电压(Vdss):250V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:460mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):52W 类型:N沟道

手机版:P1025HDB