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NTNS3164NZT5G

商品型号： NTNS3164NZT5G

制造厂商： ON(安森美)

封装规格： SOT-883

商品毛重： 0.03g

商品编号： CY281222

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：361mA 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：700mΩ @ 200mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：155mW 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	20V
最大功率耗散（Ta=25°C）	155mW
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：361mA 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：700mΩ @ 200mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：155mW 类型：N沟道

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NTNS3164NZT5G由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,NTNS3164NZT5G价格参考￥4.369000。ON(安森美)NTNS3164NZT5G封装/规格：SOT-883,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：361mA 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：700mΩ @ 200mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：155mW 类型：N沟道

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