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MTB095N10KRL3

商品型号： MTB095N10KRL3

制造厂商： 3PEAK

封装规格： SOT223

商品毛重： 0.15g

商品编号： CY234753

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.3A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.6V @ 250uA 漏源导通电阻：140mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：N沟道 100V/3.3A N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	100V
最大功率耗散（Ta=25°C）	2.5W
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.3A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.6V @ 250uA 漏源导通电阻：140mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：N沟道 100V/3.3A N沟道

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MTB095N10KRL3由3PEAK设计生产,在芯云购商城现货销售,MTB095N10KRL3价格参考￥4.458100。3PEAKMTB095N10KRL3封装/规格：SOT223,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.3A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.6V @ 250uA 漏源导通电阻：140mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：N沟道 100V/3.3A N沟道

手机版：MTB095N10KRL3