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DMTH6005LK3Q-13

商品型号: DMTH6005LK3Q-13

制造厂商: DIODES(美台)

封装规格: TO-252-2(DPAK)

商品毛重: 2.17g

商品编号: CY089301

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):90A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:5.6mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):100W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,60V,90A

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商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 60V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):90A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:5.6mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):100W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,60V,90A

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DMTH6005LK3Q-13由DIODES(美台)设计生产,在芯云购商城现货销售,DMTH6005LK3Q-13价格参考¥7.009500。DIODES(美台)DMTH6005LK3Q-13封装/规格:TO-252-2(DPAK),连续漏极电流(Id)(25°C 时):90A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:5.6mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):100W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,60V,90A

手机版:DMTH6005LK3Q-13