商品型号： KI4435DY
制造厂商： KEXIN(科信)
封装规格： SOP8
商品毛重： 0.20g
商品编号： CY364968
数据手册：
在线预览
商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8.8A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：20mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：P沟道
交货地:国内 货期(工作日):立即发货
库 存:现货6213(2500起订)
数 量: X ￥8.0876
总 价: ￥40.44
包 装:「圆盘 / 2500」
近期成交:0单
在线咨询成功加入购物车
数量
价格
5+
￥8.0876
50+
￥8.073
150+
￥8.0584
500+
￥8.0438
2500+
￥8.0292
5000+
￥8.0146
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2.5W | |
| 类型 | P沟道 |
KI4435DY由KEXIN(科信)设计生产,在芯云购商城现货销售,KI4435DY价格参考￥8.087600。KEXIN(科信)KI4435DY封装/规格：SOP8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8.8A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：20mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：P沟道
手机版：KI4435DY
20万现货SKU
品类不断扩充
科技智能大仓储
4小时快速交货
仅从原厂和代理商进货
每一颗料均可原厂追溯
明码标价节省时间成本
一站式采购正品元器件
工商网监