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2SK1317-E

商品型号： 2SK1317-E

制造厂商： RENESAS(瑞萨)

封装规格： TO-3P

商品毛重： 6.33g

商品编号： CY703359

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.5A 漏源电压（Vdss）：1500V 栅源极阈值电压：- 漏源导通电阻：12Ω @ 2A,15V 最大功率耗散（Ta=25°C）：100W 类型：N沟道 N沟道,1500V,2.5A,9Ω@15V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	2.5A
栅源极阈值电压	-
最大功率耗散（Ta=25°C）	100W
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.5A 漏源电压（Vdss）：1500V 栅源极阈值电压：- 漏源导通电阻：12Ω @ 2A,15V 最大功率耗散（Ta=25°C）：100W 类型：N沟道 N沟道,1500V,2.5A,9Ω@15V

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2SK1317-E由RENESAS(瑞萨)设计生产,在芯云购商城现货销售,2SK1317-E价格参考￥1.131700。RENESAS(瑞萨)2SK1317-E封装/规格：TO-3P,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.5A 漏源电压（Vdss）：1500V 栅源极阈值电压：- 漏源导通电阻：12Ω @ 2A,15V 最大功率耗散（Ta=25°C）：100W 类型：N沟道 N沟道,1500V,2.5A,9Ω@15V

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