商品型号： LSGN04R029
制造厂商： LONTEN(龙腾半导体)
封装规格： PPAK5×6
商品毛重： 0.14g
商品编号： CY638029
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：2.9mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：62.6W(Tc) 类型：N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 40V | |
| 类型 | N沟道 |
LSGN04R029由LONTEN(龙腾半导体)设计生产,在芯云购商城现货销售,LSGN04R029价格参考￥4.215200。LONTEN(龙腾半导体)LSGN04R029封装/规格：PPAK5×6,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：2.9mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：62.6W(Tc) 类型：N沟道
手机版：LSGN04R029
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