商品型号: KNY3303A
制造厂商: KIA 半导体
封装规格: DFN5x6
商品毛重: 0.14g
商品编号: CY496206
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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):90A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:4mΩ @ 24A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):69W(Tc) 类型:N沟道
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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | MOS(场效应管) | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
类型 | N沟道 |
KNY3303A由KIA 半导体设计生产,在芯云购商城现货销售,KNY3303A价格参考¥7.428800。KIA 半导体KNY3303A封装/规格:DFN5x6,连续漏极电流(Id)(25°C 时):90A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:4mΩ @ 24A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):69W(Tc) 类型:N沟道
手机版:KNY3303A
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