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KNY3303A

商品型号: KNY3303A

制造厂商: KIA 半导体

封装规格: DFN5x6

商品毛重: 0.14g

商品编号: CY496206

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):90A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:4mΩ @ 24A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):69W(Tc) 类型:N沟道

交货地:国内 货期(工作日):立即发货

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数   量: X ¥7.4288

总   价: ¥7.43

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 30V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):90A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:4mΩ @ 24A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):69W(Tc) 类型:N沟道

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KNY3303A由KIA 半导体设计生产,在芯云购商城现货销售,KNY3303A价格参考¥7.428800。KIA 半导体KNY3303A封装/规格:DFN5x6,连续漏极电流(Id)(25°C 时):90A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:4mΩ @ 24A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):69W(Tc) 类型:N沟道

手机版:KNY3303A