商品型号: CEZ3R04
制造厂商: CET(华瑞)
封装规格: PR-PACK
商品毛重: 0.13g
商品编号: CY283495
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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):26A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:5.8mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):39W 类型:N沟道
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封装: 20.2x10x15.5
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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | MOS(场效应管) | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
类型 | N沟道 |
CEZ3R04由CET(华瑞)设计生产,在芯云购商城现货销售,CEZ3R04价格参考¥7.552300。CET(华瑞)CEZ3R04封装/规格:PR-PACK,连续漏极电流(Id)(25°C 时):26A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:5.8mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):39W 类型:N沟道
手机版:CEZ3R04
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