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BRCS20P04DP

商品型号: BRCS20P04DP

制造厂商: BLUE ROCKET(蓝箭)

封装规格: TO-252

商品毛重: 0.45g

商品编号: CY258323

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A(Tc) 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:35mΩ @ 18A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W(Tc) 类型:P沟道

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总   价: ¥1.09

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 40V
类型 P沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A(Tc) 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:35mΩ @ 18A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W(Tc) 类型:P沟道

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BRCS20P04DP由BLUE ROCKET(蓝箭)设计生产,在芯云购商城现货销售,BRCS20P04DP价格参考¥1.092000。BLUE ROCKET(蓝箭)BRCS20P04DP封装/规格:TO-252,连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A(Tc) 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:35mΩ @ 18A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W(Tc) 类型:P沟道

手机版:BRCS20P04DP