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EMBA5P06J

商品型号: EMBA5P06J

制造厂商: 3PEAK

封装规格: SOT23

商品毛重: 0.04g

商品编号: CY585103

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.2A 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:150mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:P沟道

交货地:国内 货期(工作日):立即发货

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总   价: ¥30.93

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商品目录 MOS(场效应管)
类型 P沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.2A 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:150mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:P沟道

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EMBA5P06J由3PEAK设计生产,在芯云购商城现货销售,EMBA5P06J价格参考¥6.185600。3PEAKEMBA5P06J封装/规格:SOT23,连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.2A 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:150mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:P沟道

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