商品型号： LPM8205B6F
制造厂商： LOWPOWER(微源半导体)
封装规格： SOT23-6
商品毛重： 0.01g
商品编号： CY632499
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7.6A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.1V @ 250uA 漏源导通电阻：23mΩ @ 7.6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：双N沟道 20V N+N沟道MOS
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2W | |
| 类型 | 双N沟道 |
LPM8205B6F由LOWPOWER(微源半导体)设计生产,在芯云购商城现货销售,LPM8205B6F价格参考￥7.211500。LOWPOWER(微源半导体)LPM8205B6F封装/规格：SOT23-6,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7.6A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.1V @ 250uA 漏源导通电阻：23mΩ @ 7.6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：双N沟道 20V N+N沟道MOS
手机版：LPM8205B6F
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