商品型号： EMB22A04G
制造厂商： 3PEAK
封装规格： SOP8
商品毛重： 0.21g
商品编号： CY564775
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-40V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：22mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：双N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2W | |
| 类型 | 双N沟道 |
EMB22A04G由3PEAK设计生产,在芯云购商城现货销售,EMB22A04G价格参考￥2.408900。3PEAKEMB22A04G封装/规格：SOP8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-40V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：22mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：双N沟道
手机版：EMB22A04G
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