商品型号： KI8205T
制造厂商： KEXIN(科信)
封装规格： SOT23-6
商品毛重： 0.04g
商品编号： CY618908
数据手册：
在线预览
商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.3A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：46mΩ @ 3.4A,2.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：双N沟道(共漏)
交货地:国内 货期(工作日):立即发货
库 存:现货5260(3000起订)
数 量: X ￥6.4486
总 价: ￥64.49
包 装:「圆盘 / 3000」
近期成交:0单
在线咨询成功加入购物车
数量
价格
10+
￥6.4486
100+
￥6.375
300+
￥6.3
1000+
￥6.225
5000+
￥6.15
10000+
￥6.075
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 类型 | 双N沟道(共漏) |
KI8205T由KEXIN(科信)设计生产,在芯云购商城现货销售,KI8205T价格参考￥6.448600。KEXIN(科信)KI8205T封装/规格：SOT23-6,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.3A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：46mΩ @ 3.4A,2.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：双N沟道(共漏)
手机版：KI8205T
20万现货SKU
品类不断扩充
科技智能大仓储
4小时快速交货
仅从原厂和代理商进货
每一颗料均可原厂追溯
明码标价节省时间成本
一站式采购正品元器件
工商网监