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SM95N03AD1RL

商品型号: SM95N03AD1RL

制造厂商: SPS(美国源芯)

封装规格: DFN-8

商品毛重: 0.20g

商品编号: CY617518

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):95A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:5mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):105W(Tc) 类型:N沟道 N-MOS 30V 95A DFN5x6 4.2mΩ@10V

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 30V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):95A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:5mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):105W(Tc) 类型:N沟道 N-MOS 30V 95A DFN5x6 4.2mΩ@10V

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SM95N03AD1RL由SPS(美国源芯)设计生产,在芯云购商城现货销售,SM95N03AD1RL价格参考¥5.468600。SPS(美国源芯)SM95N03AD1RL封装/规格:DFN-8,连续漏极电流(Id)(25°C 时):95A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:5mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):105W(Tc) 类型:N沟道 N-MOS 30V 95A DFN5x6 4.2mΩ@10V

手机版:SM95N03AD1RL