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JCS4N60RB-DPAK

商品型号： JCS4N60RB-DPAK

制造厂商：吉林华微

封装规格： DPAK

商品毛重： 0.44g

商品编号： CY426526

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.4Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：165.56W(Tc) 类型：N沟道 N沟道 600V 4A

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	600V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.4Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：165.56W(Tc) 类型：N沟道 N沟道 600V 4A

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JCS4N60RB-DPAK由吉林华微设计生产,在芯云购商城现货销售,JCS4N60RB-DPAK价格参考￥1.559400。吉林华微JCS4N60RB-DPAK封装/规格：DPAK,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.4Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：165.56W(Tc) 类型：N沟道 N沟道 600V 4A

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