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CSD75208W1015

商品型号: CSD75208W1015

制造厂商: TI(德州仪器)

封装规格: DSBGA-6

商品毛重: 0.04g

商品编号: CY075319

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.6A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.1V @ 250uA 漏源导通电阻:68mΩ @ 1A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):750mW 类型:双P沟道 CSD75208W1015 CSD75208W1015,双路共源 20V P 通道 NexFET? 功率 MOSFET

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商品目录 MOS(场效应管)
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 1.6A
最大功率耗散(Ta=25°C) 750mW
连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.6A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.1V @ 250uA 漏源导通电阻:68mΩ @ 1A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):750mW 类型:双P沟道 CSD75208W1015 CSD75208W1015,双路共源 20V P 通道 NexFET? 功率 MOSFET

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CSD75208W1015由TI(德州仪器)设计生产,在芯云购商城现货销售,CSD75208W1015价格参考¥1.466800。TI(德州仪器)CSD75208W1015封装/规格:DSBGA-6,连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.6A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.1V @ 250uA 漏源导通电阻:68mΩ @ 1A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):750mW 类型:双P沟道 CSD75208W1015 CSD75208W1015,双路共源 20V P 通道 NexFET? 功率 MOSFET

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