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DMNH6042SSDQ-13

商品型号： DMNH6042SSDQ-13

制造厂商： DIODES(美台)

封装规格： SOIC-8_150mil

商品毛重： 0.16g

商品编号： CY636702

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：16.7A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：50mΩ @ 5.1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.1W 类型：双N沟道双N沟道,60V,16.7A

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规格参数
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属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
类型	双N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：16.7A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：50mΩ @ 5.1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.1W 类型：双N沟道双N沟道,60V,16.7A

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DMNH6042SSDQ-13由DIODES(美台)设计生产,在芯云购商城现货销售,DMNH6042SSDQ-13价格参考￥9.175200。DIODES(美台)DMNH6042SSDQ-13封装/规格：SOIC-8_150mil,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：16.7A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：50mΩ @ 5.1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.1W 类型：双N沟道双N沟道,60V,16.7A

手机版：DMNH6042SSDQ-13