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BSS306NH6327XTSA1

商品型号: BSS306NH6327XTSA1

制造厂商: Infineon(英飞凌)

封装规格: SOT-23

商品毛重: 1.00g

商品编号: CY268127

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.3A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2V @ 11uA 漏源导通电阻:57mΩ @ 2.3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):500mW 类型:N沟道 N 沟道

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数   量: X ¥1.0523

总   价: ¥1.05

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 30V
最大功率耗散(Ta=25°C) 500mW
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.3A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2V @ 11uA 漏源导通电阻:57mΩ @ 2.3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):500mW 类型:N沟道 N 沟道

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BSS306NH6327XTSA1由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,BSS306NH6327XTSA1价格参考¥1.052300。Infineon(英飞凌)BSS306NH6327XTSA1封装/规格:SOT-23,连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.3A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2V @ 11uA 漏源导通电阻:57mΩ @ 2.3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):500mW 类型:N沟道 N 沟道

手机版:BSS306NH6327XTSA1