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NDD04N50ZT4G

商品型号： NDD04N50ZT4G

制造厂商： ON(安森美)

封装规格： DPAK

商品毛重： 0.37g

商品编号： CY825178

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4.5V @ 50uA 漏源导通电阻：2.7Ω @ 1.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：61W(Tc) 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	500V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4.5V @ 50uA 漏源导通电阻：2.7Ω @ 1.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：61W(Tc) 类型：N沟道

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NDD04N50ZT4G由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,NDD04N50ZT4G价格参考￥9.139400。ON(安森美)NDD04N50ZT4G封装/规格：DPAK,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4.5V @ 50uA 漏源导通电阻：2.7Ω @ 1.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：61W(Tc) 类型：N沟道

手机版：NDD04N50ZT4G