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VSD004N03MS

商品型号: VSD004N03MS

制造厂商: Vanguard(威兆)

封装规格: TO-252

商品毛重: 1.00g

商品编号: CY999110

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):150A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:6mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):125W 类型:N沟道 N沟道 30V 150A

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总   价: ¥2.23

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 30V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):150A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:6mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):125W 类型:N沟道 N沟道 30V 150A

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VSD004N03MS由Vanguard(威兆)设计生产,在芯云购商城现货销售,VSD004N03MS价格参考¥2.228200。Vanguard(威兆)VSD004N03MS封装/规格:TO-252,连续漏极电流(Id)(25°C 时):150A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:6mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):125W 类型:N沟道 N沟道 30V 150A

手机版:VSD004N03MS