商品型号： HSM1562
制造厂商： HUASHUO(华朔)
封装规格： SOP-8
商品毛重： 0.11g
商品编号： CY556852
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.8A 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：32mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.5W 类型：双N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 类型 | 双N沟道 |
HSM1562由HUASHUO(华朔)设计生产,在芯云购商城现货销售,HSM1562价格参考￥7.418200。HUASHUO(华朔)HSM1562封装/规格：SOP-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.8A 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：32mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.5W 类型：双N沟道
手机版：HSM1562
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