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BSO110N03MSG

商品型号： BSO110N03MSG

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： PG-DSO-8

商品毛重： 0.11g

商品编号： CY289198

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：11mΩ @ 12.1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.56W 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	10A
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：11mΩ @ 12.1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.56W 类型：N沟道

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BSO110N03MSG由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,BSO110N03MSG价格参考￥6.498500。Infineon(英飞凌)BSO110N03MSG封装/规格：PG-DSO-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：11mΩ @ 12.1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.56W 类型：N沟道

手机版：BSO110N03MSG