商品型号： UT6MA3TCR
制造厂商： ROHM(罗姆)
封装规格： HUML2020L8
商品毛重： 0.03g
商品编号： CY521068
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A,5.5A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.5V @ 1mA 漏源导通电阻：59mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：N沟道和P沟道 P+N沟道，20V
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￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2W | |
| 类型 | N沟道和P沟道 |
UT6MA3TCR由ROHM(罗姆)设计生产,在芯云购商城现货销售,UT6MA3TCR价格参考￥2.049700。ROHM(罗姆)UT6MA3TCR封装/规格：HUML2020L8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A,5.5A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.5V @ 1mA 漏源导通电阻：59mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：N沟道和P沟道 P+N沟道，20V
手机版：UT6MA3TCR
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