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BSS123Q-7

商品型号: BSS123Q-7

制造厂商: DIODES(美台)

封装规格: SOT-23

商品毛重: 0.03g

商品编号: CY543531

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):170mA 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2V @ 7mA 漏源导通电阻:6Ω @ 170mA, 10V 最大功率耗散(Ta=25°C):300mW 类型:N沟道

交货地:国内 货期(工作日):立即发货

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总   价: ¥44.65

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 100V
最大功率耗散(Ta=25°C) 300mW
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):170mA 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2V @ 7mA 漏源导通电阻:6Ω @ 170mA, 10V 最大功率耗散(Ta=25°C):300mW 类型:N沟道

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BSS123Q-7由DIODES(美台)设计生产,在芯云购商城现货销售,BSS123Q-7价格参考¥4.465100。DIODES(美台)BSS123Q-7封装/规格:SOT-23,连续漏极电流(Id)(25°C 时):170mA 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2V @ 7mA 漏源导通电阻:6Ω @ 170mA, 10V 最大功率耗散(Ta=25°C):300mW 类型:N沟道

手机版:BSS123Q-7