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LSGG10R085W3

商品型号： LSGG10R085W3

制造厂商： LONTEN(龙腾半导体)

封装规格： TO-252

商品毛重： 0.37g

商品编号： CY115939

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商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：65A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：8.5mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：96W(Tc) 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	100V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：65A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：8.5mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：96W(Tc) 类型：N沟道

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LSGG10R085W3由LONTEN(龙腾半导体)设计生产,在芯云购商城现货销售,LSGG10R085W3价格参考￥7.042800。LONTEN(龙腾半导体)LSGG10R085W3封装/规格：TO-252,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：65A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：8.5mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：96W(Tc) 类型：N沟道

手机版：LSGG10R085W3