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LSG65R380HT

商品型号: LSG65R380HT

制造厂商: LONTEN(龙腾半导体)

封装规格: TO-252

商品毛重: 0.47g

商品编号: CY552589

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):11A 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:380mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):90W 类型:N沟道

交货地:国内 货期(工作日):立即发货

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总   价: ¥6.32

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 650V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 11A
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):11A 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:380mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):90W 类型:N沟道

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LSG65R380HT由LONTEN(龙腾半导体)设计生产,在芯云购商城现货销售,LSG65R380HT价格参考¥6.315300。LONTEN(龙腾半导体)LSG65R380HT封装/规格:TO-252,连续漏极电流(Id)(25°C 时):11A 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:380mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):90W 类型:N沟道

手机版:LSG65R380HT