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MTEF1P15AV8

商品型号: MTEF1P15AV8

制造厂商: 3PEAK

封装规格: DFN 3x3

商品毛重: 0.08g

商品编号: CY149715

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.4A(Tc) 漏源电压(Vdss):-150V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:680mΩ @ 1.4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):42W(Tc) 类型:P沟道 -150V/-5.4A P沟道

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
类型 P沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.4A(Tc) 漏源电压(Vdss):-150V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:680mΩ @ 1.4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):42W(Tc) 类型:P沟道 -150V/-5.4A P沟道

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MTEF1P15AV8由3PEAK设计生产,在芯云购商城现货销售,MTEF1P15AV8价格参考¥6.358600。3PEAKMTEF1P15AV8封装/规格:DFN 3x3,连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.4A(Tc) 漏源电压(Vdss):-150V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:680mΩ @ 1.4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):42W(Tc) 类型:P沟道 -150V/-5.4A P沟道

手机版:MTEF1P15AV8