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DMG1013UWQ-7

商品型号： DMG1013UWQ-7

制造厂商： DIODES(美台)

封装规格： SOT-323

商品毛重： 0.02g

商品编号： CY627725

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：820mA 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：750mΩ @ 430mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：310mW 类型：P沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
类型	P沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：820mA 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：750mΩ @ 430mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：310mW 类型：P沟道

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DMG1013UWQ-7由DIODES(美台)设计生产,在芯云购商城现货销售,DMG1013UWQ-7价格参考￥4.477100。DIODES(美台)DMG1013UWQ-7封装/规格：SOT-323,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：820mA 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：750mΩ @ 430mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：310mW 类型：P沟道

手机版：DMG1013UWQ-7