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DMT32M5LPS-13

商品型号： DMT32M5LPS-13

制造厂商： DIODES(美台)

封装规格： PowerDI5060-8

商品毛重： 0.25g

商品编号： CY667870

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：150A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 1mA 漏源导通电阻：2mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：100W(Tc) 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	30V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：150A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 1mA 漏源导通电阻：2mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：100W(Tc) 类型：N沟道

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DMT32M5LPS-13由DIODES(美台)设计生产,在芯云购商城现货销售,DMT32M5LPS-13价格参考￥2.545100。DIODES(美台)DMT32M5LPS-13封装/规格：PowerDI5060-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：150A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 1mA 漏源导通电阻：2mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：100W(Tc) 类型：N沟道

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