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PMV32UP,215

商品型号: PMV32UP,215

制造厂商: Nexperia(安世)

封装规格: SOT-23(SOT-23-3)

商品毛重: 0.02g

商品编号: CY200498

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:950mV @ 250uA 漏源导通电阻:36mΩ @ 2.4A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):510mW 类型:P沟道

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 4A
类型 P沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:950mV @ 250uA 漏源导通电阻:36mΩ @ 2.4A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):510mW 类型:P沟道

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PMV32UP,215由Nexperia(安世)设计生产,在芯云购商城现货销售,PMV32UP,215价格参考¥7.180600。Nexperia(安世)PMV32UP,215封装/规格:SOT-23(SOT-23-3),连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:950mV @ 250uA 漏源导通电阻:36mΩ @ 2.4A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):510mW 类型:P沟道

手机版:PMV32UP,215