商品型号： AP4920GM
制造厂商： APEC(富鼎)
封装规格： SOIC-8_150mil
商品毛重： 0.23g
商品编号： CY768911
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A 漏源电压（Vdss）：25V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：25mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：双N沟道
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￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 25V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 7A | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2W | |
| 类型 | 双N沟道 |
AP4920GM由APEC(富鼎)设计生产,在芯云购商城现货销售,AP4920GM价格参考￥3.262800。APEC(富鼎)AP4920GM封装/规格：SOIC-8_150mil,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A 漏源电压（Vdss）：25V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：25mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：双N沟道
手机版：AP4920GM
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