商品型号： LSG80R680GT
制造厂商： LONTEN(龙腾半导体)
封装规格： TO-252
商品毛重： 0.37g
商品编号： CY855248
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A(Tc) 漏源电压（Vdss）：800V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：680mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：83W(Tc) 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥1.39
10+
￥1.3268
30+
￥1.2636
100+
￥1.1977
500+
￥1.1318
1000+
￥1.0659
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
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￥15.00
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￥25.00
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￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 800V | |
| 类型 | N沟道 |
LSG80R680GT由LONTEN(龙腾半导体)设计生产,在芯云购商城现货销售,LSG80R680GT价格参考￥1.390000。LONTEN(龙腾半导体)LSG80R680GT封装/规格：TO-252,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A(Tc) 漏源电压（Vdss）：800V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：680mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：83W(Tc) 类型：N沟道
手机版：LSG80R680GT
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