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CEZ3P08

商品型号: CEZ3P08

制造厂商: CET(华瑞)

封装规格: PR-PACK 5x6

商品毛重: 0.13g

商品编号: CY592439

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):21A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:9mΩ @ 13A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):54.3W 类型:P沟道 P沟道,-30V,-61A

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商品目录 MOS(场效应管)
类型 P沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):21A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:9mΩ @ 13A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):54.3W 类型:P沟道 P沟道,-30V,-61A

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CEZ3P08由CET(华瑞)设计生产,在芯云购商城现货销售,CEZ3P08价格参考¥2.044400。CET(华瑞)CEZ3P08封装/规格:PR-PACK 5x6,连续漏极电流(Id)(25°C 时):21A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:9mΩ @ 13A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):54.3W 类型:P沟道 P沟道,-30V,-61A

手机版:CEZ3P08