商品型号： CRTD055N03L
制造厂商： CRMICRO(华润微)
封装规格： TO-252
商品毛重： 0.46g
商品编号： CY042765
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：50A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.8V @ 250uA 漏源导通电阻：5.5mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：71W(Tc) 类型：N沟道 N沟道 30V 4.3mΩ@10v
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | |
| 类型 | N沟道 |
CRTD055N03L由CRMICRO(华润微)设计生产,在芯云购商城现货销售,CRTD055N03L价格参考￥6.278800。CRMICRO(华润微)CRTD055N03L封装/规格：TO-252,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：50A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.8V @ 250uA 漏源导通电阻：5.5mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：71W(Tc) 类型：N沟道 N沟道 30V 4.3mΩ@10v
手机版：CRTD055N03L
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