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IRF5801TRPBF

商品型号: IRF5801TRPBF

制造厂商: Infineon(英飞凌)

封装规格: TSOP-6

商品毛重: 0.04g

商品编号: CY068448

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):600mA 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:5.5V @ 250uA 漏源导通电阻:2.2Ω @ 360mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:N沟道 N沟道,200V,600mA,2.2Ω@10V

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总   价: ¥8.10

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商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 200V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 600mA
栅源极阈值电压 5.5V @ 250uA
最大功率耗散(Ta=25°C) 2W
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):600mA 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:5.5V @ 250uA 漏源导通电阻:2.2Ω @ 360mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:N沟道 N沟道,200V,600mA,2.2Ω@10V

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IRF5801TRPBF由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IRF5801TRPBF价格参考¥8.096800。Infineon(英飞凌)IRF5801TRPBF封装/规格:TSOP-6,连续漏极电流(Id)(25°C 时):600mA 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:5.5V @ 250uA 漏源导通电阻:2.2Ω @ 360mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:N沟道 N沟道,200V,600mA,2.2Ω@10V

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