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LNL04R075

商品型号: LNL04R075

制造厂商: LONTEN(龙腾半导体)

封装规格: SOP-8

商品毛重: 0.11g

商品编号: CY663316

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):18A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:7.5mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W 类型:N沟道

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总   价: ¥8.44

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 40V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):18A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:7.5mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W 类型:N沟道

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LNL04R075由LONTEN(龙腾半导体)设计生产,在芯云购商城现货销售,LNL04R075价格参考¥8.438300。LONTEN(龙腾半导体)LNL04R075封装/规格:SOP-8,连续漏极电流(Id)(25°C 时):18A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:7.5mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W 类型:N沟道

手机版:LNL04R075