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VBA4658

商品型号: VBA4658

制造厂商: VBsemi(台湾微碧)

封装规格: SO-8

商品毛重: 0.36g

商品编号: CY183287

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.3A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:54mΩ @ 6.3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):4W(Tc) 类型:双P沟道 P+P沟道,-60V,-5.3A,58mΩ@10V

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商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.3A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:54mΩ @ 6.3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):4W(Tc) 类型:双P沟道 P+P沟道,-60V,-5.3A,58mΩ@10V

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VBA4658由VBsemi(台湾微碧)设计生产,在芯云购商城现货销售,VBA4658价格参考¥8.459600。VBsemi(台湾微碧)VBA4658封装/规格:SO-8,连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.3A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:54mΩ @ 6.3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):4W(Tc) 类型:双P沟道 P+P沟道,-60V,-5.3A,58mΩ@10V

手机版:VBA4658