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UTD408L-TN3-R

商品型号： UTD408L-TN3-R

制造厂商： 3PEAK

封装规格： TO-252-2(DPAK)

商品毛重： 0.50g

商品编号： CY891313

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：18mΩ @ 18A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：N沟道 N沟道,30V,18A,27mΩ@4.5V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	30V
最大功率耗散（Ta=25°C）	2.5W
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：18mΩ @ 18A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：N沟道 N沟道,30V,18A,27mΩ@4.5V

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UTD408L-TN3-R由3PEAK设计生产,在芯云购商城现货销售,UTD408L-TN3-R价格参考￥9.358000。3PEAKUTD408L-TN3-R封装/规格：TO-252-2(DPAK),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：18mΩ @ 18A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：N沟道 N沟道,30V,18A,27mΩ@4.5V

手机版：UTD408L-TN3-R