商品型号： NCE55P30K
制造厂商： 无锡新洁能
封装规格： TO-252-2(DPAK)
商品毛重： 0.55g
商品编号： CY035582
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：-30A 漏源电压（Vdss）：-55V 栅源极阈值电压：-4V @ 250uA 漏源导通电阻：40mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：65W 类型：P沟道 P沟道，-55V，-30A
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 类型 | P沟道 |
NCE55P30K由无锡新洁能设计生产,在芯云购商城现货销售,NCE55P30K价格参考￥8.487500。无锡新洁能NCE55P30K封装/规格：TO-252-2(DPAK),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：-30A 漏源电压（Vdss）：-55V 栅源极阈值电压：-4V @ 250uA 漏源导通电阻：40mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：65W 类型：P沟道 P沟道，-55V，-30A
手机版：NCE55P30K
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